Resistive Switching Phenomena of HfO2 Films Grown by MOCVD for Resistive Switching Memory Devices

Mots clés générés par l'IA : Commutation résistive HfO2 Dépôt chimique en phase vapeur Précurseurs organométalliques ReRAM

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Les films de HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques ont été étudiés pour leur application dans les dispositifs ReRAM.
Les caractéristiques bipolaires de commutation résistive ont été observées.
Les états d'écriture et d'effacement mesurés à des valeurs aussi faibles que 7 uA et 4 uA respectivement à VREAD = 1 V.
Une performance stable a été observée lors de 40 cycles répétitifs en courant continu avec des petites variations des tensions et des courants d'écriture/effacement.
Une bonne rétention pendant plus de 105 secondes dans les deux états hautement et faiblement conducteurs a également été observée.
Ces résultats suggèrent que les films HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques sont un matériau prometteur pour la commutation résistive dans les applications ReRAM.
Les points clés du texte sont :
Étude des films HfO2 pour leur utilisation dans les dispositifs ReRAM
Caractéristiques bipolaires de commutation résistive observées
Performances stables lors de cycles répétitifs en courant continu
Bonne rétention dans les deux états conducteurs
Films HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques sont prometteurs pour la commutation résistive dans les applications ReRAM.

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Auteurs : Min Ju Yun, Sungho Kim, Hee-Dong Kim

arXiv: 1605.06014v1 - DOI (cond-mat.mtrl-sci)

Licence : NONEXCLUSIVE-DISTRIB 1.0

Résumé : The resistive switching phenomena of HfO2 films grown by metalorganic chemical vapor deposition was studied for the application of ReRAM devices. In the fabricated Pt/HfO2/TiN memory cells, the bipolar resistive switching characteristics were observed, and the set and reset states were measured to be as low as 7 uA and 4 uA, respectively, at VREAD = 1 V. Regarding the resistive switching performance, the stable RS performance was observed under 40 repetitive dc cycling test with the small variations of set/reset voltages and currents, and good retention characteristics over 105 s in both LRS and HRS. These results show the possibility of MOCVD grown HfO2 films as a promising resistive switching materials for ReRAM applications.

Soumis à arXiv le 19 Mai. 2016

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Les films de HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques ont été étudiés pour leur application dans les dispositifs ReRAM. Les caractéristiques bipolaires de commutation résistive ont été observées et les états d'écriture et d'effacement mesurés à des valeurs aussi faibles que 7 uA et 4 uA respectivement à VREAD = 1 V. Une performance stable a été observée lors de 40 cycles répétitifs en courant continu avec des petites variations des tensions et des courants d'écriture/effacement, ainsi qu'une bonne rétention pendant plus de 105 secondes dans les deux états hautement et faiblement conducteurs. Ces résultats suggèrent que les films HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques sont un matériau prometteur pour la commutation résistive dans les applications ReRAM.

- Les films de HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques ont été étudiés pour leur application dans les dispositifs ReRAM.
- Les caractéristiques bipolaires de commutation résistive ont été observées.
- Les états d'écriture et d'effacement mesurés à des valeurs aussi faibles que 7 uA et 4 uA respectivement à VREAD = 1 V.
- Une performance stable a été observée lors de 40 cycles répétitifs en courant continu avec des petites variations des tensions et des courants d'écriture/effacement.
- Une bonne rétention pendant plus de 105 secondes dans les deux états hautement et faiblement conducteurs a également été observée.
- Ces résultats suggèrent que les films HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques sont un matériau prometteur pour la commutation résistive dans les applications ReRAM.
Les points clés du texte sont :
- Étude des films HfO2 pour leur utilisation dans les dispositifs ReRAM
- Caractéristiques bipolaires de commutation résistive observées
- Performances stables lors de cycles répétitifs en courant continu
- Bonne rétention dans les deux états conducteurs
- Films HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques sont prometteurs pour la commutation résistive dans les applications ReRAM.

Résumé : Des scientifiques ont étudié des films HfO2 pour les utiliser dans des dispositifs appelés ReRAM. Ils ont observé que ces films peuvent changer de conductivité électrique de manière stable et répétitive, ce qui est important pour les applications ReRAM. Les scientifiques ont également mesuré la quantité d'électricité nécessaire pour écrire et effacer l'information stockée dans ces films, et ils ont constaté que c'était très faible. Enfin, ils ont conclu que ces films sont prometteurs pour être utilisés dans les applications ReRAM.

Les films de HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques

Dans cet article, nous allons examiner une recherche récente sur les films HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques et leur application dans les dispositifs ReRAM.

Caractéristiques bipolaires de commutation résistive

Les chercheurs ont observé des caractéristiques bipolaires de commutation résistive lorsqu'ils ont testé le matériau. Les tensions et les courants d'écriture/effacement mesurés étaient aussi faibles que 7 uA et 4 uA respectivement à VREAD = 1 V.

Performance stable

Une performance stable a été constatée lorsque 40 cycles répétitifs en courant continu ont été effectués, avec des petites variations des tensions et des courants d'écriture/effacement. De plus, une bonne rétention pendant plus de 105 secondes dans les deux états hautement et faiblement conducteurs a également été constatée.

Matériau prometteur pour la commutation résistive

Ces résultats suggèrent que les films HfO2 obtenus par dépôt chimique en phase vapeur à partir de précurseurs organométalliques sont un matériau prometteur pour la commutation résistive dans les applications ReRAM. Cela ouvre la voie à une variété d'applications possibles qui peuvent bénéficier du potentiel offert par ce type particulier de matière première.

Créé le 04 Avr. 2023

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